MOS场效应晶体管表面迁移率随外加漏极电压的变化

虽然一级理论预计MOS场效应晶体管的跨导与扩散漏区和源区之间的间距成正比，但是，在沟道长度很短时，这种关系不再成立，事实上，硅器件单位沟道宽度的跨导趋向一个极限值，因为在非常高的横向电场作用下，沟道内载流子的迁移率在给定的栅极电压下不再是常数，而开始随横向电场强度的增加而减小。电场强度超过临界值时，载流子漂移速度趋向饱和，所观测到的载流子迁移率随电场而呈相反地变化。这种现象在预测沟道长度仅几微米或更短的MOS场效应器件的电特性方面是极为重要的。

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